onsemi FCMT Type N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
195-2502
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FCMT360N65S3
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

FCMT

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

360mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

8 mm

Height

1.05mm

Length

8mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor's brand-new high voltage super-junction(SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the switching power applications such as server/telecom power, adapter and solar inverter applications. The Power88 package is an ultra-slim surface-mount package (1mm high) with a low profile and small footprint (8 * 8 mm2). SUPERFET III MOSFET in a Power88 package offers excellent switching performance due to lower parasitic source inductance and separated power and drive sources.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง