Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 222-4734
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF3205ZSTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB27,147.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB29,047.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | THB33.934 | THB27,147.20 |
| 1600 - 1600 | THB32.629 | THB26,103.20 |
| 2400 + | THB32.216 | THB25,772.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4734
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF3205ZSTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 110A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 170W | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.67mm | |
| Width | 9.65 mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 110A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 170W | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.67mm | ||
Width 9.65 mm | ||
Height 4.83mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Advanced process technology
Ultra-low on-resistance Fast switching
Lead-Free, RoHS Compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3205ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3205STRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3205PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP064NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3205ZPBF