Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- RS Stock No.:
- 222-4688
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN80R2K4P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB32,577.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB34,857.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB10.859 | THB32,577.00 |
| 6000 - 6000 | THB10.441 | THB31,323.00 |
| 9000 + | THB10.309 | THB30,927.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4688
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN80R2K4P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | CoolMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 6.3W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.7 mm | |
| Length | 6.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series CoolMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 6.3W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.7 mm | ||
Length 6.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.8mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of Cool MOS™ P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation.
Product validation acc. JEDEC Standard
Low switching losses (Eoss) Integrated ESD protection diode
Excellent thermal behaviour
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R2K4P7ATMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R3K3P7ATMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN95R2K0P7ATMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R2K0P7ATMA1