Infineon OptiMOS-TM5 N-Channel MOSFET, 74 A, 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC072N08NS5ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB128,820.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB137,835.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
5000 - 5000THB25.764THB128,820.00
10000 - 10000THB24.773THB123,865.00
15000 +THB24.459THB122,295.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
222-4619
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSC072N08NS5ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

74A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

OptiMOS-TM5

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Power Dissipation Pd

69W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.35mm

Standards/Approvals

No

Width

6.1mm

Height

1.2mm

Automotive Standard

No

Infineon OptiMOS-TM5 Series MOSFET, 80V Maximum Drain Source Voltage, 74A Maximum Continuous Drain Current - BSC072N08NS5ATMA1


This MOSFET is a high-current N-channel semiconductor designed for switching and power conversion in demanding thermal environments. It operates across a wide temperature span and accepts gate voltages up to 20 V, making it suitable for applications requiring robust gate drive and substantial continuous drain current while mounted as a Compact surface device.

Features and Benefits:


• 80 V drain rating enables higher-voltage switching applications
• 74 A continuous current supports heavy-load power stages
• 7.2 mΩ Rds(on) reduces conduction losses during operation
• 69 W power dissipation allows sustained thermal loading
• 24 nC typical gate charge for predictable switching behaviour
• 8-pin TDSON surface package provides Compact PCB real-estate savings

Applications


• Suitable for high-current motor drive stages
• Ideal for DC-DC converter output stages
• Used with power distribution modules in server racks
• Can be used for battery management and charging systems
• Used for synchronous rectification in power supplies

What thermal extremes can it tolerate during operation?


It is rated to operate from −55 °C up to 150 °C.

What gate drive voltage range is permissible for switching control?


The gate may be driven up to 20 V to switch the device.

How does the package support automated assembly?


It is supplied in an 8-pin TDSON package intended for surface mounting.

What is the typical switching charge to consider in gate drivers?


Designers should account for a typical total gate charge of 24 nC when selecting a driver.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง