Infineon OptiMOS-TM5 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC098N10NS5ATMA1

RS Stock No.:: 222-4622
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC098N10NS5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS-TM5 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC098N10NS5ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB425.57

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB455.36

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

9,740 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 10	THB42.557	THB425.57
20 - 90	THB41.494	THB414.94
100 - 240	THB40.458	THB404.58
250 - 490	THB39.447	THB394.47
500 +	THB38.46	THB384.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4622
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC098N10NS5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	OptiMOS-TM5
	Package Type	TDSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22nC
	Maximum Power Dissipation Pd	69W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	6.1 mm
	Length	5.35mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.2mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series OptiMOS-TM5
	Package Type TDSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC
	Maximum Power Dissipation Pd 69W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 6.1 mm
	Length 5.35mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.2mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BSC098N10NS5ATMA1

The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Superior thermal resistance 100% avalanche tested

Halogen-free according to IEC61249-2-23

Infineon OptiMOS-TM5 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC098N10NS5ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง