Infineon OptiMOS-TM5 Type N-Channel MOSFET, 131 A, 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- RS Stock No.:
- 222-4617
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC037N08NS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB188,765.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB201,980.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 10,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB37.753 | THB188,765.00 |
| 10000 - 10000 | THB36.785 | THB183,925.00 |
| 15000 + | THB36.319 | THB181,595.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4617
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC037N08NS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 131A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | OptiMOS-TM5 | |
| Package Type | TDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 114W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.1 mm | |
| Length | 5.35mm | |
| Height | 1.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 131A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series OptiMOS-TM5 | ||
Package Type TDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 114W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.1 mm | ||
Length 5.35mm | ||
Height 1.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Superior thermal resistance 100% avalanche tested
Halogen-free according to IEC61249-2-23
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS-TM5 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC037N08NS5ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM5 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS-TM5 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS-TM5 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC098N10NS5ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM5 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC072N08NS5ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM5 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8-61 IAUCN10S5L280DATMA1
- Infineon OptiMOS-TM5 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8-60 IAUCN10S5L094DATMA1
- Infineon OptiMOS-TM5 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 FL ISC025N08NM5LF2ATMA1
