Infineon OptiMOS-TM5 N-Channel MOSFET, 131 A, 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC037N08NS5ATMA1

RS Stock No.:: 222-4617
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC037N08NS5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS-TM5 N-Channel MOSFET, 131 A, 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC037N08NS5ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (5000 ชิ้น, ในม้วนขนาด 5000)*

THB188,765.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB201,980.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

10,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 - 5000	THB37.753	THB188,765.00
10000 - 10000	THB36.785	THB183,925.00
15000 +	THB36.319	THB181,595.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4617
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC037N08NS5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	131A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	TDSON
	Series	OptiMOS-TM5
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	46nC
	Maximum Power Dissipation Pd	114W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	+175°C
	Height	1.2mm
	Length	5.35mm
	Standards/Approvals	No
	Width	6.1mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 131A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type TDSON
	Series OptiMOS-TM5
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC
	Maximum Power Dissipation Pd 114W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature +175°C
	Height 1.2mm
	Length 5.35mm
	Standards/Approvals No
	Width 6.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BSC037N08NS5ATMA1

Infineon OptiMOS-TM5 Series MOSFET, 80V Maximum Drain Source Voltage, 131A Maximum Continuous Drain Current - BSC037N08NS5ATMA1

This MOSFET is a high-current N-channel enhancement device designed for surface-mount power conversion and switching tasks. It operates across a wide ambient range and accommodates demanding thermal conditions while providing low voltage drop and Rapid gate-driven switching suitable for industrial and power-supply environments.

Features and Benefits:

• 80V drain rating enabling robust high-voltage switching
• 131A continuous drain current for heavy current handling
• 3.7mΩ low Rds(on) reducing conduction losses
• 114W power dissipation allowing sustained thermal load
• 46nC typical gate charge supporting fast switching control
• 20V gate tolerance permitting flexible drive voltages

Applications

• Suitable for high-power DC-DC converters in power supplies
• Ideal for synchronous rectification in server power rails
• Used for motor-drive stages requiring high continuous current
• Can be used for telecoms power distribution and UPS units
• Suitable for Compact surface-mount power modules in industrial systems

What temperature extremes can the device tolerate during operation?

It is specified to operate from -55°C up to +175°C.

How many electrical connections does the package provide for PCB layout?

The package exposes eight pins for routing and thermal connection.

What packaging and mounting form factor should designers expect?

It is supplied in a TDSON package intended for surface mounting.

What is the forward voltage during conduction under typical conditions?

The forward voltage is specified at 1.1V under conduction conditions.

What channel type and mode determine switching polarity and behaviour?

It uses an N-channel structure in enhancement mode for conventional high-side or low-side switching.