Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 40 A, 40 V Enhancement, 3-Pin ISOMETRIC IRF6613TRPBF
- RS Stock No.:
- 220-7474
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF6613TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB285.05
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB305.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 9,455 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 1195 | THB57.01 | THB285.05 |
| 1200 - 2395 | THB55.586 | THB277.93 |
| 2400 + | THB54.73 | THB273.65 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7474
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF6613TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | ISOMETRIC | |
| Series | StrongIRFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Height | 0.68mm | |
| Width | 5.05 mm | |
| Length | 6.35mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type ISOMETRIC | ||
Series StrongIRFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Height 0.68mm | ||
Width 5.05 mm | ||
Length 6.35mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon Strong IRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
High-current rating
Dual-side cooling capability
Low package height of 0.7mm
Low parasitic (1-2 NH) inductance package
Wide availability from distribution partners
Industry standard qualification level
High current carrying capability
Optimum thermal performance
Compact form factor
High efficiency
Environmentally friendly
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 3-Pin ISOMETRIC
- Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IRF60SC241ARMA1
- Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP7430PBF
- Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB7430PBF