Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 363 A, 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IRF60SC241ARMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB275.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB294.68

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,370 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 198THB137.70THB275.40
200 - 398THB134.26THB268.52
400 +THB132.195THB264.39

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
220-7472
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF60SC241ARMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET & Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

363A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-263

Series

StrongIRFET

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.95mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.4W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

311nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

9.45 mm

Height

4.4mm

Length

10.2mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon latest 60 V Strong IRFET power MOSFET devices are optimized for both high current and low RDS(on) making them the ideal solution for high current battery powered applications.

Low RDS(on)

High current capability

Industry standard package

Flexible pinout

Optimized for 10 V gate drive

Reduction in conduction losses

Increased power density

Drop in replacement to existing devices

Offers design flexibility

Provides immunity to false turn-on in noisy environments

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง