Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 40 A, 40 V Enhancement, 3-Pin ISOMETRIC

RS Stock No.:: 220-7473
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF6613TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 40 A, 40 V Enhancement, 3-Pin ISOMETRIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4800 ชิ้น)*

THB192,307.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB205,766.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

4,800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4800 - 4800	THB40.064	THB192,307.20
9600 - 14400	THB38.862	THB186,537.60
19200 +	THB37.696	THB180,940.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7473
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF6613TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	StrongIRFET
	Package Type	ISOMETRIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	42nC
	Maximum Power Dissipation Pd	89W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1V
	Height	0.68mm
	Width	5.05 mm
	Length	6.35mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series StrongIRFET
	Package Type ISOMETRIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC
	Maximum Power Dissipation Pd 89W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1V
	Height 0.68mm
	Width 5.05 mm
	Length 6.35mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF6613TRPBF

The Infineon Strong IRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

High-current rating

Dual-side cooling capability

Low package height of 0.7mm

Low parasitic (1-2 NH) inductance package

Wide availability from distribution partners

Industry standard qualification level

High current carrying capability

Optimum thermal performance

Compact form factor

High efficiency

Environmentally friendly

Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 40 A, 40 V Enhancement, 3-Pin ISOMETRIC

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง