Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode, 151 A, 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247

RS Stock No.:: 220-7465
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPZA60R060P7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode, 151 A, 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB5,283.36

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,653.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
30 - 30	THB176.112	THB5,283.36
60 - 90	THB172.284	THB5,168.52
120 +	THB168.455	THB5,053.65

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7465
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPZA60R060P7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET & Diode
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	151A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-247
	Series	CoolMOS P7
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	60mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	67nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	164W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	21.1mm
	Standards/Approvals	No
	Width	5.1 mm
	Length	15.9mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET & Diode
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 151A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-247
	Series CoolMOS P7
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 67nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 164W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 21.1mm
	Standards/Approvals No
	Width 5.1 mm
	Length 15.9mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPZA60R060P7XKSA1

The Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET is the successor to the 600V Cool MOS P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS 7th generation platform ensure its high efficiency.

600V P7 enables excellent FOM RDS(on)xEoss and RDS(on)xQG

ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)

Integrated gate resistor RG

Rugged body diode

Wide portfolio in through hole and surface mount packages

Both standard grade and industrial grade parts are available

Excellent FOMs RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss enable higher efficiency

Ease-of-use in manufacturing environments by stopping ESD failures occurring

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

MOSFET is suitable for both hard and resonant switching topologies such as PFC and LLC

Excellent ruggedness during hard commutation of the body diode seen in LLC topology

Suitable for a wide variety of end applications and output powers

Parts available suitable for consumer and industrial applications

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode, 151 A, 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง