Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode, 82 A, 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC061N08NS5ATMA1

RS Stock No.:: 220-7355
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC061N08NS5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode, 82 A, 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC061N08NS5ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB564.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB603.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,970 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 1240	THB56.40	THB564.00
1250 - 2490	THB54.991	THB549.91
2500 +	THB54.145	THB541.45

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7355
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC061N08NS5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET & Diode
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	82A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	TDSON
	Series	OptiMOS 3
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	27nC
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd	74W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.35mm
	Standards/Approvals	No
	Width	6.1 mm
	Height	1.2mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET & Diode
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 82A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type TDSON
	Series OptiMOS 3
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd 74W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.35mm
	Standards/Approvals No
	Width 6.1 mm
	Height 1.2mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BSC061N08NS5ATMA1

The Infineon Infineon's OptiMOS N-channel power MOSFETs are developed to increase efficiency, power density and cost-effectiveness. Designed for high performance applications and optimized for high switching frequency, OptiMOS products convince with the industry's best figure of merit. The OptiMOS power MOSFET portfolio, now complemented by Strong IRFET, creates a truly powerful combination. Benefit from a perfect match of robust and excellent price/performance of Strong IRFET MOSFETs and best-in-class technology of OptiMOS MOSFETs. Both product families answer to the highest quality standards and performance demands. The joint portfolio, covering voltages from 12V up to 300V MOSFETs, can address a broad range of needs from low to high switching frequencies such as SMPS, battery powered applications, motor control and drives, inverters, and computing.

Optimized for high performance SMPS ,e.g. sync.rec.

100%avalanchetested

Superior thermal resistance

N-channel

QualifiedaccordingtoJEDEC1)for target applications

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode, 82 A, 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC061N08NS5ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง