Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET & Diode, 82 A, 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC061N08NS5ATMA1

RS Stock No.:: 220-7353
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC061N08NS5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET & Diode, 82 A, 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC061N08NS5ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 10000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB105,225.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB112,590.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
5000 - 5000	THB21.045	THB105,225.00	-
10000 - 15000	THB20.414	THB102,070.00	2%
20000 +	THB19.802	THB99,010.00	5%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7353
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC061N08NS5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET & Diode
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	82A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	OptiMOS 3
	Package Type	TDSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	27nC
	Maximum Power Dissipation Pd	74W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	6.1mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.2mm
	Length	5.35mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET & Diode
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 82A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series OptiMOS 3
	Package Type TDSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC
	Maximum Power Dissipation Pd 74W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 6.1mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.2mm
	Length 5.35mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BSC061N08NS5ATMA1

The Infineon Infineon's OptiMOS N-channel power MOSFETs are developed to increase efficiency, power density and cost-effectiveness. Designed for high performance applications and optimized for high switching frequency, OptiMOS products convince with the industry's best figure of merit. The OptiMOS power MOSFET portfolio, now complemented by Strong IRFET, creates a truly powerful combination. Benefit from a perfect match of robust and excellent price/performance of Strong IRFET MOSFETs and best-in-class technology of OptiMOS MOSFETs. Both product families answer to the highest quality standards and performance demands. The joint portfolio, covering voltages from 12V up to 300V MOSFETs, can address a broad range of needs from low to high switching frequencies such as SMPS, battery powered applications, motor control and drives, inverters, and computing.

Optimized for high performance SMPS ,e.g. sync.rec.

100%avalanchetested

Superior thermal resistance

N-channel

QualifiedaccordingtoJEDEC1)for target applications

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET & Diode, 82 A, 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC061N08NS5ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง