Infineon CoolMOS CSFD Type N-Channel MOSFET, 236 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R037CSFDXKSA1
- RS Stock No.:
- 219-6021
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW60R037CSFDXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB312.92
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB334.82
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB312.92 |
| 10 - 99 | THB297.27 |
| 100 - 249 | THB282.41 |
| 250 - 499 | THB268.29 |
| 500 + | THB254.88 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-6021
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW60R037CSFDXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 236A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | CoolMOS CSFD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 37mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 136nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 245W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 16.13mm | |
| Width | 21.1 mm | |
| Height | 5.21mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 236A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series CoolMOS CSFD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 37mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 136nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 245W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 16.13mm | ||
Width 21.1 mm | ||
Height 5.21mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IPW60R037CSFD CoolMOS superjunction MOSFET is an optimized device tailored to address the off-board EV-charging market segment. Thanks to low gate charge (Qg) and improved switching behaviour it offers highest efficiency in the targeted market. In addition to that it comes along with an integrated fast body diode and tremendously reduced reverse recovery charge (Qrr) leading to highest reliability in resonant topologies. Due to these features the IPW60R037CSFD meets the efficiency and reliability standards of the off-board EV-charging station market and furthermore supports high power density solutions.
Ultra-fast body diode
Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)
Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CSFD Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CSFD Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CSFD Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R024CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247