Infineon CoolMOS CSFD N-Channel MOSFET, 360 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R024CFD7XKSA1
- RS Stock No.:
- 219-6016
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW60R024CFD7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 90 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB9,633.48
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB10,307.82
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 30 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 30 - 60 | THB321.116 | THB9,633.48 | - |
| 90 - 120 | THB311.483 | THB9,344.49 | 2% |
| 150 + | THB302.138 | THB9,064.14 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-6016
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW60R024CFD7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 360A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | CoolMOS CSFD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 24mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 183nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 320W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 21.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 16.13mm | |
| Height | 5.21mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 360A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series CoolMOS CSFD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 183nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 320W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 21.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 16.13mm | ||
Height 5.21mm | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CSFD N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R024CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS CSFD N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R037CSFDXKSA1
- Infineon CoolMOS C3 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C3 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C3 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247