Infineon CoolMOS CSFD N-Channel MOSFET, 360 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R024CFD7XKSA1

RS Stock No.:: 219-6016
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPW60R024CFD7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS CSFD N-Channel MOSFET, 360 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R024CFD7XKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB9,633.48

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB10,307.82

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
30 - 60	THB321.116	THB9,633.48
90 - 120	THB311.483	THB9,344.49
150 +	THB302.138	THB9,064.14

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 219-6016
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPW60R024CFD7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	360A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	CoolMOS CSFD
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	24mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	183nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	320W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	21.1mm
	Standards/Approvals	No
	Length	16.13mm
	Height	5.21mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 360A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series CoolMOS CSFD
	Package Type TO-247
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 183nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 320W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 21.1mm
	Standards/Approvals No
	Length 16.13mm
	Height 5.21mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPW60R024CFD7XKSA1

The Infineon CoolMOS CFD7 Superjunction MOSFET IPW60R024CFD7 in 600V is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements. As successor to the CFD2 SJ MOSFET family it comes with reduced gate charge, improved turn-off behaviour and up to 69% reduced reverse recovery charge compared to competitors.

Ultra-fast body diode

Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)

Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness

Infineon CoolMOS CSFD N-Channel MOSFET, 360 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R024CFD7XKSA1

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง