Infineon CoolMOS CSFD N-Channel MOSFET, 360 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R024CFD7XKSA1
- RS Stock No.:
- 219-6017
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW60R024CFD7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก
เพิ่มอีก 10 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 4%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB506.73
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB542.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 47 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | การประหยัด |
|---|---|---|
| 1 - 9 | THB506.73 | - |
| 10 - 99 | THB481.41 | 4% |
| 100 - 249 | THB457.34 | 9% |
| 250 - 499 | THB434.48 | 14% |
| 500 + | THB412.75 | 18% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-6017
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW60R024CFD7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 360A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | CoolMOS CSFD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 24mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 183nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 320W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 21.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 16.13mm | |
| Height | 5.21mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 360A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series CoolMOS CSFD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 183nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 320W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 21.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 16.13mm | ||
Height 5.21mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS CFD7 Superjunction MOSFET IPW60R024CFD7 in 600V is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements. As successor to the CFD2 SJ MOSFET family it comes with reduced gate charge, improved turn-off behaviour and up to 69% reduced reverse recovery charge compared to competitors.
Ultra-fast body diode
Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)
Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CSFD N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R024CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS CSFD N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R037CSFDXKSA1
- Infineon CoolMOS C3 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C3 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C3 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247