Infineon CoolMOS CSFD Type N-Channel MOSFET, 360 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R024CFD7XKSA1
- RS Stock No.:
- 219-6017
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW60R024CFD7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB506.73
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB542.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 54 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB506.73 |
| 10 - 99 | THB481.41 |
| 100 - 249 | THB457.34 |
| 250 - 499 | THB434.48 |
| 500 + | THB412.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-6017
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW60R024CFD7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 360A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | CoolMOS CSFD | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 24mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 183nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 320W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 5.21mm | |
| Length | 16.13mm | |
| Width | 21.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 360A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series CoolMOS CSFD | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 183nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 320W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 5.21mm | ||
Length 16.13mm | ||
Width 21.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS CFD7 Superjunction MOSFET IPW60R024CFD7 in 600V is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements. As successor to the CFD2 SJ MOSFET family it comes with reduced gate charge, improved turn-off behaviour and up to 69% reduced reverse recovery charge compared to competitors.
Ultra-fast body diode
Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)
Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CSFD Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CSFD Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CSFD Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R037CSFDXKSA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247