Infineon CoolMOS CSFD N-Channel MOSFET, 360 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R024CFD7XKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB506.73

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB542.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB506.73
10 - 99THB481.41
100 - 249THB457.34
250 - 499THB434.48
500 +THB412.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
219-6017
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPW60R024CFD7XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

360A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-247

Series

CoolMOS CSFD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

320W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

183nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

16.13mm

Width

21.1mm

Standards/Approvals

No

Height

5.21mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS CFD7 Superjunction MOSFET IPW60R024CFD7 in 600V is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements. As successor to the CFD2 SJ MOSFET family it comes with reduced gate charge, improved turn-off behaviour and up to 69% reduced reverse recovery charge compared to competitors.

Ultra-fast body diode

Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)

Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง