Infineon CoolMOS CSFD N-Channel MOSFET, 236 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R037CSFDXKSA1
- RS Stock No.:
- 219-6020
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW60R037CSFDXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 90 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB6,924.93
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB7,409.67
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 30 - 60 | THB230.831 | THB6,924.93 | - |
| 90 - 120 | THB223.906 | THB6,717.18 | 3% |
| 150 + | THB217.188 | THB6,515.64 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-6020
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW60R037CSFDXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 236A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | CoolMOS CSFD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 37mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 136nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 245W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 5.21mm | |
| Length | 16.13mm | |
| Width | 21.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 236A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series CoolMOS CSFD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 37mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 136nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 245W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 5.21mm | ||
Length 16.13mm | ||
Width 21.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CSFD N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R037CSFDXKSA1
- Infineon CoolMOS CSFD N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R024CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS C3 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C3 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CFD7 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPA60R280CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS C3 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SPW35N60C3FKSA1
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R090CFD7XKSA1
