Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80R1K4P7XKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 20 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB12.44

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB310.70

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB332.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 20 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
การประหยัด
10 - 10THB31.07THB310.70-
20 - 90THB30.448THB304.48THB12.44
100 - 240THB29.84THB298.40THB123.00
250 - 490THB29.243THB292.43THB456.75
500 +THB28.658THB286.58THB1,206.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
219-6009
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPP80R1K4P7XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-220

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

140mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

32W

Forward Voltage Vf

900mV

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

4.57mm

Length

10.36mm

Width

15.95mm

Automotive Standard

No

The Infineon 800V CoolMOS P7 superjunction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on flyback applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical flyback applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK R DS(on) products. Overall, it helps customers save BOM cost and reduce assembly effort.

Easy to drive and to design-in

Better production yield by reducing ESD related failures

Less production issues and reduced field returns

Easy to select right parts for fine tuning of designs

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง