Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R600P7ATMA1

RS Stock No.:: 219-5998
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPN80R600P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R600P7ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB4,434.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB73,845.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB79,014.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
3000 - 3000	THB24.615	THB73,845.00	-
6000 - 6000	THB23.876	THB71,628.00	THB4,434.00
9000 +	THB23.16	THB69,480.00	THB13,095.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 219-5998
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPN80R600P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Series	CoolMOS P7
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	600mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	7.4W
	Forward Voltage Vf	900mV
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	20nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.8mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.7mm
	Width	3.7mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Series CoolMOS P7
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 7.4W
	Forward Voltage Vf 900mV
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.8mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.7mm
	Width 3.7mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPN80R600P7ATMA1

The Infineon 800V CoolMOS P7 superjunction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on flyback applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical flyback applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK R DS(on) products. Overall, it helps customers save BOM cost and reduce assembly effort.

Easy to drive and to design-in

Better production yield by reducing ESD related failures

Less production issues and reduced field returns

Easy to select right parts for fine tuning of designs

Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R600P7ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง