Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 128 A, 75 V, 3-Pin TO-263 IRFS3307ZTRRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB817.33

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB874.54

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 2,370 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 190THB81.733THB817.33
200 - 390THB79.689THB796.89
400 +THB78.463THB784.63

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
218-3118
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFS3307ZTRRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

128A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.8mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

230W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

9.65mm

Length

10.67mm

Width

4.83 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET series single N-Channel Power MOSFET integrated with D2PAK (TO-263) type package.

Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง