Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 128 A, 75 V, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 218-3117
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS3307ZTRRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB37,802.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB40,448.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,600 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | THB47.253 | THB37,802.40 |
| 1600 - 2400 | THB45.835 | THB36,668.00 |
| 3200 + | THB44.46 | THB35,568.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-3117
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS3307ZTRRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 128A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.8mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 110nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.65mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Width | 4.83 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 128A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.8mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.65mm | ||
Length 10.67mm | ||
Width 4.83 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon HEXFET series single N-Channel Power MOSFET integrated with D2PAK (TO-263) type package.
Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-263 IRFS3307ZTRRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS3307ZTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V, 7-Pin TO-263
