Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 260 A, 75 V, 7-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 257-9417
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS3107TRL7PP
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB65,192.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB69,756.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 1600 | THB81.491 | THB65,192.80 |
| 2400 + | THB76.784 | THB61,427.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9417
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS3107TRL7PP
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 260A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.6mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 370W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 10.54mm | |
| Width | 9.65 mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 260A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.6mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 370W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 10.54mm | ||
Width 9.65 mm | ||
Height 4.83mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFS series is the 75V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak 7-Pin package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Normal level is optimized for 10 V gate drive voltage
Industry standard surface mount power package
Higher current rating (by 23 percent) vs D2 PAK (of same die size)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V, 7-Pin TO-263 IRFS3107TRL7PP
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 7-Pin TO-263 IRFS7437TRL7PP
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V, 7-Pin TO-263 IRF3805STRL-7PP
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V, 7-Pin TO-263 IRLS4030TRL7PP