Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 128 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS3307ZTRLPBF
- RS Stock No.:
- 130-0997
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS3307ZTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 200 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB651.20
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB650.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB696.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 5 - 195 | THB130.19 | THB650.95 | - |
| 200 - 395 | THB126.934 | THB634.67 | THB651.20 |
| 400 + | THB124.982 | THB624.91 | THB2,083.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 130-0997
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS3307ZTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 128A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.65mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 128A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.67mm | ||
Height 4.83mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.65mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS3307ZTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-263 IRFS3307ZTRRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS7734TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS7730TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET & Diode 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3007STRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF1407STRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3808STRLPBF
