Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 6 A, 500 V, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 218-3115
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR825TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB84,376.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB90,282.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB42.188 | THB84,376.00 |
| 4000 - 6000 | THB40.923 | THB81,846.00 |
| 8000 + | THB39.695 | THB79,390.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-3115
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR825TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.3Ω | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 119W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 9.65mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.3Ω | ||
Maximum Power Dissipation Pd 119W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.67mm | ||
Height 9.65mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon HEXFET series single N-channel power MOSFET integrated with DPAK (TO-252) type package. This MOSFET is mainly used in UPS, SMPS etc.
Lower gate charge results in simpler drive requirements.
Higher gate voltage threshold offers improved noise immunity.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 500 V, 3-Pin TO-252 IRFR825TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-252