Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 27 A, 55 V TO-252
- RS Stock No.:
- 218-3110
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR4105TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB29,090.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB31,126.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 10,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB14.545 | THB29,090.00 |
| 4000 - 6000 | THB14.108 | THB28,216.00 |
| 8000 + | THB13.685 | THB27,370.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-3110
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR4105TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 27A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 0.045V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 68W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 2.39 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 6.22mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 27A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ | ||
Forward Voltage Vf 0.045V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 68W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 2.39 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 6.22mm | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon HEXFET series 55V N-channel power MOSFET. It utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This MOSFET is designed for surface mounting using vapour phase, infrared, or wave soldering technique.
Ultra Low On-Resistance
Fast Switching
Lead free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252 IRFR4105TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252 IRFR2405TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252 IRLR3915TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252 IRFR024NTRPBF
