Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 27 A, 55 V TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB29,090.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB31,126.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 10,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2000 - 2000THB14.545THB29,090.00
4000 - 6000THB14.108THB28,216.00
8000 +THB13.685THB27,370.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
218-3110
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFR4105TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

27A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Forward Voltage Vf

0.045V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

68W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

2.39 mm

Standards/Approvals

No

Height

6.22mm

Length

6.73mm

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET series 55V N-channel power MOSFET. It utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This MOSFET is designed for surface mounting using vapour phase, infrared, or wave soldering technique.

Ultra Low On-Resistance

Fast Switching

Lead free

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง