Infineon 600V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 218-3050
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD60R280P7SAUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB44,662.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB47,790.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 07 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB17.865 | THB44,662.50 |
| 5000 - 7500 | THB17.329 | THB43,322.50 |
| 10000 + | THB16.809 | THB42,022.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-3050
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD60R280P7SAUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | 600V CoolMOS P7 | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 280mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 53W | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 2.41mm | |
| Width | 6.22mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series 600V CoolMOS P7 | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 53W | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Height 2.41mm | ||
Width 6.22mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ P7 series N-channel power MOSFET. It has extremely low switching and conduction losses which makes switching applications even more efficient, more compact and much cooler.
Significant reduction of switching and conduction losses
Suitable for hard and soft switching
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R280P7SAUMA1
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R280P7XKSA1
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R280P7ATMA1
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R180P7ATMA1