Infineon 600V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R180P7ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB82,997.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB88,807.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB33.199THB82,997.50
5000 - 7500THB32.203THB80,507.50
10000 +THB31.237THB78,092.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
214-4383
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD60R180P7ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-252

Series

600V CoolMOS P7

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

72W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Forward Voltage Vf

900mV

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

6.42mm

Height

2.35mm

Length

6.65mm

Automotive Standard

No

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง