Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 214-9054
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD90N04S403ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB65,550.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB70,150.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 15,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB26.22 | THB65,550.00 |
| 5000 - 7500 | THB25.433 | THB63,582.50 |
| 10000 + | THB24.67 | THB61,675.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9054
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD90N04S403ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | OptiMOS-T2 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 94W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 51nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.5mm | |
| Width | 6.22 mm | |
| Height | 2.3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series OptiMOS-T2 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 94W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.5mm | ||
Width 6.22 mm | ||
Height 2.3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon range of new OptiMOS -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS -T2 product family extends the existing families of OptiMOS -T and OptiMOS. OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
It is Automotive AEC Q101 qualified
100% Avalanche tested
It has 175°C operating temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N04S403ATMA1
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N03S4L02ATMA1
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N10S4L06ATMA1
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N06S4L03ATMA2
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252