Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 218-3032
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB120N06S4H1ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB73,147.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB78,267.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB73.147 | THB73,147.00 |
| 2000 - 3000 | THB70.953 | THB70,953.00 |
| 4000 + | THB68.824 | THB68,824.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-3032
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB120N06S4H1ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | OptiMOS-T2 | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series OptiMOS-T2 | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel power MOSFET. It has low switching and conduction power losses for high thermal efficiency.
N-channel - Enhancement mode
175°C operating temperature
100% Avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N06S4H1ATMA2
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N06S402ATMA2
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS -T2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N08S404ATMA1
- Infineon OptiMOS -T2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N08S403ATMA1
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220