Infineon OptiMOS -T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
214-4365
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPB120N08S403ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS -T2

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

128nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

9.27 mm

Length

10.02mm

Height

4.5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

This Infineon OptiMOS T2 MOSFET is 100% Avalanche tested and is RoHS compliant.

It is AEC Q101 qualified

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง