Infineon OptiMOS -T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N08S403ATMA1
- RS Stock No.:
- 214-4366
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB120N08S403ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB1,032.97
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,105.28
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 220 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 245 | THB206.594 | THB1,032.97 |
| 250 - 495 | THB201.43 | THB1,007.15 |
| 500 + | THB198.33 | THB991.65 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4366
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB120N08S403ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | OptiMOS -T2 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 278W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 128nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 9.27 mm | |
| Length | 10.02mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series OptiMOS -T2 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 278W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 128nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 9.27 mm | ||
Length 10.02mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
This Infineon OptiMOS T2 MOSFET is 100% Avalanche tested and is RoHS compliant.
It is AEC Q101 qualified
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS -T2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N08S404ATMA1
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP120N08S403AKSA1
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N06S4H1ATMA2
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N06S402ATMA2