Infineon 500V CoolMOS CE N-Channel MOSFET, 7.6 A, 550 V N, 3-Pin TO-220 IPA50R800CEXKSA2
- RS Stock No.:
- 218-2991
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA50R800CEXKSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB1,009.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,080.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 350 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB20.19 | THB1,009.50 |
| 100 - 150 | THB19.584 | THB979.20 |
| 200 + | THB18.997 | THB949.85 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-2991
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA50R800CEXKSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 550V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | 500V CoolMOS CE | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 800mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Forward Voltage Vf | 830mV | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 16.15mm | |
| Width | 4.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 29.75mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 550V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series 500V CoolMOS CE | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 800mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Forward Voltage Vf 830mV | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 16.15mm | ||
Width 4.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 29.75mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 500V CoolMOS™ CE series N-channel power MOSFET. The CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. This MOSFET is used in PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages, for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV and indoor lighting.
Very high commutation ruggedness
Easy to use/drive
Pb-free plating, Halogen free mold compound
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 500V CoolMOS CE N-Channel MOSFET 550 V N, 3-Pin TO-220 IPA50R800CEXKSA2
- Infineon 500V CoolMOS CE N-Channel MOSFET 500 V N, 3-Pin TO-252 IPD50R500CEAUMA1
- Infineon 500V CoolMOS CE N-Channel MOSFET 500 V N, 3-Pin TO-220 IPA50R950CEXKSA2
- Infineon 500V CoolMOS CE N-Channel MOSFET 500 V N, 3-Pin TO-252 IPD50R1K4CEAUMA1
- Infineon 500V CoolMOS CE N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50R2K0CEAUMA1
- Infineon CoolMOS CE N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP50R190CEXKSA1
- Infineon CoolMOS CE N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50R380CEAUMA1
- Infineon CoolMOS CE N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220