Infineon 500V CoolMOS CE N-Channel MOSFET, 2.2 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50R2K0CEAUMA1
- RS Stock No.:
- 214-4379
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD50R2K0CEAUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก
เพิ่มอีก 650 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*
THB774.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB828.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 50 - 600 | THB15.492 | THB774.60 | - |
| 650 - 1200 | THB15.104 | THB755.20 | 2% |
| 1250 + | THB14.872 | THB743.60 | 4% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4379
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD50R2K0CEAUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | 500V CoolMOS CE | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 33W | |
| Forward Voltage Vf | 830mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.35mm | |
| Length | 6.65mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.42mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series 500V CoolMOS CE | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 33W | ||
Forward Voltage Vf 830mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.35mm | ||
Length 6.65mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.42mm | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon 500 V Cool MOS CE MOSFET is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in consumer and lighting markets by still meeting highest efficiency standards.
It provides very high commutation ruggedness
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 500V CoolMOS CE N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50R2K0CEAUMA1
- Infineon 500V CoolMOS CE N-Channel MOSFET 500 V N, 3-Pin TO-252 IPD50R500CEAUMA1
- Infineon 500V CoolMOS CE N-Channel MOSFET 500 V N, 3-Pin TO-252 IPD50R1K4CEAUMA1
- Infineon 500V CoolMOS CE N-Channel MOSFET 500 V N, 3-Pin TO-220 IPA50R950CEXKSA2
- Infineon 500V CoolMOS CE N-Channel MOSFET 550 V N, 3-Pin TO-220 IPA50R800CEXKSA2
- Infineon CoolMOS CE N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50R650CEAUMA1
- Infineon CoolMOS CE N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50R380CEAUMA1
- Infineon CoolMOS CE N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R1K0CEAUMA1