Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 46 A, 60 V N, 8-Pin TSDSON BSZ099N06LS5ATMA1
- RS Stock No.:
- 218-2986
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ099N06LS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB657.52
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB703.54
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 4,160 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 1240 | THB32.876 | THB657.52 |
| 1260 - 2480 | THB32.054 | THB641.08 |
| 2500 + | THB31.561 | THB631.22 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-2986
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ099N06LS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 46A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TSDSON | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9.9mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 36W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 46A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TSDSON | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9.9mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 36W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS™ series N-channel power MOSFET. It is highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The devices low gate charge (Q g) reduces switching losses without compromising conduction losses.
100% avalanche tested
Superior thermal resistance
Pb-free lead plating
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC097N06NSATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 30 V N, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 30 V N, 8-Pin TSDSON BSZ0589NSATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ100N06NSATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TSDSON