Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 119 A, 40 V TO-252 IRFR4104TRPBF

RS Stock No.:: 217-2625
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR4104TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 119 A, 40 V TO-252 IRFR4104TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB366.60

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB392.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 3,960 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 490	THB36.66	THB366.60
500 - 990	THB35.744	THB357.44
1000 +	THB35.194	THB351.94

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2625
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR4104TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	119A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5.5mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	140W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	89nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	2.39 mm
	Height	6.22mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	No
	Distrelec Product Id	304-39-423

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 119A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series HEXFET
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5.5mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 140W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 89nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 2.39 mm
	Height 6.22mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.73mm
	Automotive Standard No
	Distrelec Product Id 304-39-423

Datasheet - IRFR4104TRPBF

The Infineon HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance 1

75°C Operating Temperature

Fast Switching R

repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax L

ead-Free

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 119 A, 40 V TO-252 IRFR4104TRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง