Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 119 A, 40 V TO-252 IRFR4104TRPBF
- RS Stock No.:
- 217-2625
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR4104TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB366.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB392.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,960 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 490 | THB36.66 | THB366.60 |
| 500 - 990 | THB35.744 | THB357.44 |
| 1000 + | THB35.194 | THB351.94 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 217-2625
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR4104TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 119A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.5mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 140W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 89nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 2.39 mm | |
| Height | 6.22mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Distrelec Product Id | 304-39-423 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 119A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.5mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 140W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 89nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 2.39 mm | ||
Height 6.22mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
Distrelec Product Id 304-39-423 | ||
The Infineon HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance 1
75°C Operating Temperature
Fast Switching R
repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax L
ead-Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TDSON BSC026N04LSATMA1
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-252 AUIRFR8403TRL
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-252 IRFR7446TRPBF