Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 119 A, 40 V N, 8-Pin TDSON BSC026N04LSATMA1

RS Stock No.:: 218-2975
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC026N04LSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 119 A, 40 V N, 8-Pin TDSON BSC026N04LSATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (15 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 15)*

THB357.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB382.35

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,620 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
15 - 1245	THB23.82	THB357.30
1260 - 2490	THB23.223	THB348.35
2505 +	THB22.867	THB343.01

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 218-2975
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC026N04LSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	119A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	OptiMOS
	Package Type	TDSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.6mΩ
	Channel Mode	N
	Maximum Power Dissipation Pd	63W
	Forward Voltage Vf	1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	45nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.35mm
	Standards/Approvals	No
	Width	6.1mm
	Height	1.2mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 119A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series OptiMOS
	Package Type TDSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.6mΩ
	Channel Mode N
	Maximum Power Dissipation Pd 63W
	Forward Voltage Vf 1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.35mm
	Standards/Approvals No
	Width 6.1mm
	Height 1.2mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BSC026N04LSATMA1

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 40V Maximum Drain Source Voltage, 119A Maximum Continuous Drain Current - BSC026N04LSATMA1

This MOSFET is a high-current N-channel transistor designed for power switching in surface-mounted systems, providing controlled conduction for DC-DC conversion and similar power-management tasks within wide operating conditions.

Features and Benefits:

• Maximum drain-source voltage supports 40 V system operation
• Very low on-resistance reduces conduction losses at 2.6 mΩ
• Continuous drain current rating enables 119 A sustained load handling
• Typical gate charge of 45 nC minimises switching energy and delay
• Power dissipation capability allows 63 W thermal handling during operation
• Gate-source withstand up to 20 V for robust drive margin

Applications

• Suitable for high-current DC-DC converters in power supplies
• Ideal for switching stages in automotive power modules
• Used for motor-driver half-bridges requiring low conduction loss
• Can be used for high-efficiency synchronous rectification
• Suitable for Compact surface-mount power assemblies

What temperature range can it reliably operate within?

It is specified to function between −55 °C and 150 °C for extended thermal margins.

What package and mounting method are used for Compact designs?

It is supplied in an 8-pin TDSON package intended for surface mounting.

How does its forward voltage affect power-stage design?

The forward voltage of 1 V should be considered when calculating conduction losses and selection of gate-drive levels.

What channel and conduction mode does the device use?

It employs an N-type channel operating in enhancement mode for standard MOSFET switching behaviour.