Infineon IPL Type N-Channel MOSFET, 27 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R125P7AUMA1

RS Stock No.:: 217-2538
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPL60R125P7AUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPL Type N-Channel MOSFET, 27 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R125P7AUMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB327.56

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB350.49

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2,940 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 745	THB65.512	THB327.56
750 - 1495	THB63.876	THB319.38
1500 +	THB62.894	THB314.47

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2538
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPL60R125P7AUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	27A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	ThinPAK
	Series	IPL
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	125mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Power Dissipation Pd	111W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.1mm
	Standards/Approvals	No
	Width	8.8 mm
	Length	8.8mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 27A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type ThinPAK
	Series IPL
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Power Dissipation Pd 111W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.1mm
	Standards/Approvals No
	Width 8.8 mm
	Length 8.8mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPL60R125P7AUMA1

The Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

Suitable for hard and soft switching(PFC and LLC)due to an outstanding  commutation ruggedness

Significant reduction of switching and conduction losses

Excellent ESD robustness > 2kV (HBM) for all products

Better RDS(on)/package products compared to competition enabled by a

low RDS(on)*A(below1Ohm*mm²)

Fully qualified acc. JEDEC for Industrial Applications

Infineon IPL Type N-Channel MOSFET, 27 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R125P7AUMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง