Infineon IPL Type N-Channel MOSFET, 27 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK
- RS Stock No.:
- 217-2537
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPL60R125P7AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB170,202.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB182,115.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB56.734 | THB170,202.00 |
| 6000 - 9000 | THB55.032 | THB165,096.00 |
| 12000 + | THB53.381 | THB160,143.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 217-2537
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPL60R125P7AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 27A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | IPL | |
| Package Type | ThinPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 125mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 111W | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 8.8mm | |
| Width | 8.8 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 27A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series IPL | ||
Package Type ThinPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 111W | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 8.8mm | ||
Width 8.8 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
Suitable for hard and soft switching(PFC and LLC)due to an outstanding commutation ruggedness
Significant reduction of switching and conduction losses
Excellent ESD robustness > 2kV (HBM) for all products
Better RDS(on)/package products compared to competition enabled by a
low RDS(on)*A(below1Ohm*mm²)
Fully qualified acc. JEDEC for Industrial Applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R125P7AUMA1
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8 IPL65R200CFD7AUMA1
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8 IPL65R130CFD7AUMA1
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8 IPL65R160CFD7AUMA1