Infineon IPL Type N-Channel MOSFET, 107 A, 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8
- RS Stock No.:
- 240-6616
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPL65R115CFD7AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB234,624.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB251,049.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB78.208 | THB234,624.00 |
| 6000 - 6000 | THB77.938 | THB233,814.00 |
| 9000 + | THB77.668 | THB233,004.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 240-6616
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPL65R115CFD7AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 107A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | ThinPAK 8x8 | |
| Series | IPL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 95mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 171W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 24mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 107A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type ThinPAK 8x8 | ||
Series IPL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 95mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 171W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 24mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon 650V CoolMOS™ CFD7 super junction MOSFET comes in a ThinPAK 8x8 package is ideally suited for resonant topologies in industrial applications, such as server, telecom, solar, and EV-charging stations, in which it enables significant efficiency improvements compared to competition. As a successor to the CFD2 SJ MOSFET family, it comes with reduced gate charge, improved turn-off behaviour, and reduced reverse recovery charge enabling highest efficiency and power density as well as additional 50V breakdown voltage.
Significantly reduced switching losses compared to competition
Extra safety margin for designs with increased bus voltage
Improved full-load efficiency in industrial SMPS applications
High power density
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8 IPL65R115CFD7AUMA1
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8 IPL65R200CFD7AUMA1
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8 IPL65R130CFD7AUMA1
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8 IPL65R160CFD7AUMA1
- Infineon IPL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK 8x8 IPL65R095CFD7AUMA1