Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 15 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 220-7396
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB90R340C3ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB103,750.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB111,010.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB103.75 | THB103,750.00 |
| 2000 - 3000 | THB100.637 | THB100,637.00 |
| 4000 + | THB97.618 | THB97,618.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7396
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB90R340C3ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 900V | |
| Series | CoolMOS | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 340mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 208W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 94nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.31mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.45 mm | |
| Height | 4.57mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 900V | ||
Series CoolMOS | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 340mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 208W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 94nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.31mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.45 mm | ||
Height 4.57mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon 900V Cool MOS C3 is Infineon's third series of Cool MOS with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio.
Low specific on-state resistance (RDS(on)*A)
Very low energy storage in output capacitance (Eoss) @400V
Low gate charge (Qg)
Field proven Cool MOS™ quality
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 900 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB90R340C3ATMA2
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 700 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 700 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R065C7ATMA2
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA95R450P7XKSA1
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
