Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R095C7ATMA2

RS Stock No.:: 217-2506
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB65R095C7ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R095C7ATMA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB904.51

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB967.825

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

225 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 245	THB180.902	THB904.51
250 - 495	THB176.38	THB881.90
500 +	THB173.666	THB868.33

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2506
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB65R095C7ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	24A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-263
	Series	CoolMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	95mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd	129W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	51nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.31mm
	Height	4.57mm
	Width	9.45 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 24A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-263
	Series CoolMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 95mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd 129W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.31mm
	Height 4.57mm
	Width 9.45 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPB65R095C7ATMA2

The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C7 series combines thee experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits off a switching super junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.

Increased MOSFET dv/dt ruggedness

Better efficiency due to best in class FOMRDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg

Best in class RDS(on)/package

Easy to use/drive

Pb-free plating, halogen free mold compound

Qualified for industrial grade applications according to JEDEC(J-STD20 andJESD22)

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R095C7ATMA2

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง