Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 70 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB70N10S312ATMA1

RS Stock No.:: 217-2508
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB70N10S312ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 70 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB70N10S312ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB742.27

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB794.23

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

620 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 240	THB74.227	THB742.27
250 - 490	THB72.372	THB723.72
500 +	THB71.259	THB712.59

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2508
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB70N10S312ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	70A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-263
	Series	CoolMOS
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11.3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	51nC
	Maximum Power Dissipation Pd	129W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.31mm
	Height	4.57mm
	Width	9.45 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 70A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-263
	Series CoolMOS
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11.3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC
	Maximum Power Dissipation Pd 129W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.31mm
	Height 4.57mm
	Width 9.45 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPB70N10S312ATMA1

The Infineon 100V, N-Ch, 11.3 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T.

N-channel - Enhancement mode

Automotive AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 70 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB70N10S312ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง