Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 215-2547
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP80N06S407AKSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB1,901.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,034.35
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB38.025 | THB1,901.25 |
| 100 - 150 | THB37.198 | THB1,859.90 |
| 200 + | THB36.372 | THB1,818.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-2547
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP80N06S407AKSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | OptiMOS-T2 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 79W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series OptiMOS-T2 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 79W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS® -T2 Power-Transistor series has 60V maximum drain source voltage with TO-220 package type. It is N-Channel with 7.1 mΩ max maximum drain source resistance.
N-channel - Enhancement mode
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80N06S407AKSA2
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-262
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IPI80N06S4L07AKSA2
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IPI80N06S407AKSA2
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP120N08S403AKSA1
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS -T2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263