Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IPI80N06S4L07AKSA2
- RS Stock No.:
- 214-9068
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPI80N06S4L07AKSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB619.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB662.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 260 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB61.93 | THB619.30 |
| 20 - 20 | THB60.38 | THB603.80 |
| 30 + | THB59.452 | THB594.52 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9068
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPI80N06S4L07AKSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-262 | |
| Series | OptiMOS-T2 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 79W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 58nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.4 mm | |
| Height | 23.45mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-262 | ||
Series OptiMOS-T2 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 79W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.4 mm | ||
Height 23.45mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon range of new OptiMOS -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS -T2 product family extends the existing families of OptiMOS -T and OptiMOS. OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
The product is AEC Q101 qualified
It has 175°C operating temperature
100% Avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-262
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IPI80N06S407AKSA2
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-262
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IPI45N06S409AKSA2
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80N06S407AKSA2
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263