Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IPI80N06S407AKSA2

RS Stock No.:: 214-9066
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPI80N06S407AKSA2
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IPI80N06S407AKSA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB729.98

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB781.08

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

380 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 10	THB72.998	THB729.98
20 - 20	THB71.174	THB711.74
30 +	THB70.079	THB700.79

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-9066
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPI80N06S407AKSA2
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	OptiMOS-T2
	Package Type	TO-262
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	43nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	79W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.2mm
	Standards/Approvals	No
	Height	23.45mm
	Width	4.4 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series OptiMOS-T2
	Package Type TO-262
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 43nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 79W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.2mm
	Standards/Approvals No
	Height 23.45mm
	Width 4.4 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPI80N06S407AKSA2

The Infineon range of new OptiMOS -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS -T2 product family extends the existing families of OptiMOS -T and OptiMOS. OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

The product is AEC Q101 qualified

It has 175°C operating temperature

100% Avalanche tested

Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IPI80N06S407AKSA2

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง