Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R600P7XKSA1

RS Stock No.:: 215-2546
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPP60R600P7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R600P7XKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB345.90

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB370.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 10	THB34.59	THB345.90
20 - 20	THB33.724	THB337.24
30 +	THB33.205	THB332.05

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 215-2546
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPP60R600P7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-220
	Series	CoolMOS P7
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	600mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	9nC
	Maximum Power Dissipation Pd	30W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-220
	Series CoolMOS P7
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9nC
	Maximum Power Dissipation Pd 30W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPP60R600P7XKSA1

The Infineon 600V Cool MOS™ P7 is the successor to the 600V Cool MOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency. It combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with excellent ease of use, e.g. very low ringing tendency, outstanding robustness of body diode against hard commutation and excellent ESD capability. Furthermore, extremely low switching and conduction losses make switching application seven more efficient, more compact and much cooler.

Suitable for hard and soft switching (PFC and LLC) due to an outstanding  commutation ruggedness

Excellent ESD robustness >2kV(HBM) for all products

Significant reduction of switching and conduction losses

Wide portfolio in through hole and surface mount packages

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R600P7XKSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง