Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 31 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 215-2538
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R099P7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB4,149.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,440.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 150 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB82.99 | THB4,149.50 |
| 100 - 150 | THB81.186 | THB4,059.30 |
| 200 + | THB79.382 | THB3,969.10 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-2538
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R099P7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 31A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | CoolMOS P7 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 99mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 117W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 45nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.36mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.57mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 31A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series CoolMOS P7 | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 99mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 117W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.36mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.57mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon CoolMOS P7 Series MOSFET, 600V Maximum Drain Source Voltage, 31A Maximum Continuous Drain Current - IPP60R099P7XKSA1
This MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for power-switching roles in through-hole assemblies. It operates over a wide temperature range and is intended for applications requiring substantial voltage handling and continuous current capability while mounted in a TO-220 package.
Features and Benefits:
• 600V drain-source rating enabling high-voltage switching
• 31A continuous drain current for sustained power delivery
• 99 mΩ low RDS(on) reducing conduction losses
• 117W power dissipation for heavy-load thermal handling
• 45 nC typical gate charge Qg enabling reasonable switching speed
• 20V gate-source limit supporting common drive voltages
• 31A continuous drain current for sustained power delivery
• 99 mΩ low RDS(on) reducing conduction losses
• 117W power dissipation for heavy-load thermal handling
• 45 nC typical gate charge Qg enabling reasonable switching speed
• 20V gate-source limit supporting common drive voltages
Applications
• Suitable for mains-side power conversion stages
• Ideal for switched-mode power supplies requiring 600V capability
• Used with heatsinked through-hole mounts in industrial units
• Can be used for high-voltage motor drive front-ends
• Suitable for power transistor roles in telecoms rectifiers
• Ideal for switched-mode power supplies requiring 600V capability
• Used with heatsinked through-hole mounts in industrial units
• Can be used for high-voltage motor drive front-ends
• Suitable for power transistor roles in telecoms rectifiers
What thermal extremes can it tolerate during operation?
It is rated to function from -55 °C up to 150 °C, allowing use in environments with wide temperature variation.
How many electrical connections does the package provide?
The device is supplied with three pins configured for the typical MOSFET gate, drain and source connections in a through-hole layout.
What mounting method does it require for circuit assembly?
The component is supplied in a TO-220 format intended for through-hole mounting and attachment to an external heatsink as needed.
What gate-drive considerations should be observed?
The maximum permissible gate-source voltage is 20V, so gate drivers should limit amplitude within that threshold to prevent device stress.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R099P7XKSA1
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R060P7XKSA1
