Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 215-2536
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP057N06N3GXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,543.05
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,721.05
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 350 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB50.861 | THB2,543.05 |
| 100 - 150 | THB49.335 | THB2,466.75 |
| 200 + | THB47.855 | THB2,392.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-2536
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP057N06N3GXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 115W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 82nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 115W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 82nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS™ 60V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Ideal for fast switching applications
RoHS compliant - halogen free
MSL1 rated
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP057N06N3GXKSA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80N06S209AKSA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80N08S2L07AKSA1
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-262
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220