Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80N06S209AKSA2
- RS Stock No.:
- 218-3071
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP80N06S209AKSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB1,020.67
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,092.12
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB102.067 | THB1,020.67 |
| 20 - 20 | THB99.515 | THB995.15 |
| 30 + | THB97.983 | THB979.83 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-3071
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP80N06S209AKSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 190W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.36mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.45mm | |
| Width | 4.57 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 190W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.36mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.45mm | ||
Width 4.57 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon 55 V N-Channel automotive MOSFET. This MOSFET is used in valves control, solenoids control, lighting, single-ended motors etc.
N-channel - Enhancement mode
175°C operating temperature
100% Avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N06S2H5ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N06S2L09ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS670S2LH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
