Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R1K4P7ATMA1
- RS Stock No.:
- 214-4401
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN80R1K4P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB41,334.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB44,226.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB13.778 | THB41,334.00 | - |
| 6000 - 9000 | THB13.365 | THB40,095.00 | 2% |
| 12000 + | THB12.964 | THB38,892.00 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4401
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN80R1K4P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | 800V CoolMOS P7 | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 7W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.7mm | |
| Width | 3.7mm | |
| Height | 1.8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series 800V CoolMOS P7 | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 7W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.7mm | ||
Width 3.7mm | ||
Height 1.8mm | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R1K4P7ATMA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPAN80R450P7XKSA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R900P7ATMA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R2K0P7ATMA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R2K4P7ATMA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA80R900P7XKSA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80R280P7XKSA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 MOSFET 800 V, 3-Pin PG-TO251-3 IPU80R1K4P7AKMA1
