Infineon 800V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 3 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R2K0P7ATMA1

RS Stock No.:: 215-2514
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD80R2K0P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon 800V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 3 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R2K0P7ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB533.58

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB570.94

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2,480 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 620	THB26.679	THB533.58
640 - 1240	THB26.012	THB520.24
1260 +	THB25.612	THB512.24

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 215-2514
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD80R2K0P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Series	800V CoolMOS P7
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	9nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	24W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Series 800V CoolMOS P7
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 24W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD80R2K0P7ATMA1

The Infineon 800V Cool MOS™ P7 super junction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on fly back applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical fly back applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK RDS(on) products.

Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)

Best-in-class quality and reliability

Fully optimized portfolio

Infineon 800V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 3 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R2K0P7ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง